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comienza con  2N2222A*(86) 2N2222A-*(1) 2N2222AB*(5) 2N2222AC*(8) 2N2222AD*(9) 2N2222AH*(1) 2N2222AQ*(2) 2N2222AS*(2) 2N2222AU*(27) 2N2222AV*(5) 2N2222AW*(5) 2N2222AX*(6)
End  *2N2222A(11) *-2N2222A(1) *N2N2222A(1) *S2N2222A(2) *T2N2222A(1) *V2N2222A(1) *X2N2222A(1)
Incluido  *2N2222A*(22) *2N2222AR*(1)
Fabricante Electrónico


2N2222A Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : Included a word "2N2222A" - Total : 22 ( 1/2 Page)
Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
logo
Central Semiconductor C...
CP191-2N2222A-CT CENTRAL-CP191-2N2222A-CT Datasheet
465Kb/9P
P-Channel JFET Die
R1 17-January 2018
CP191-2N2222A-CT CENTRAL-CP191-2N2222A-CT Datasheet
530Kb/9P
PNP - High Voltage Transistor Die
R0 8-August 2019
CP191-2N2222A-WN CENTRAL-CP191-2N2222A-WN Datasheet
465Kb/9P
P-Channel JFET Die
R1 17-January 2018
CP191-2N2222A-WN CENTRAL-CP191-2N2222A-WN Datasheet
530Kb/9P
PNP - High Voltage Transistor Die
R0 8-August 2019
CP191-2N2222A-WR CENTRAL-CP191-2N2222A-WR Datasheet
465Kb/9P
P-Channel JFET Die
R1 17-January 2018
CP191-2N2222A-WR CENTRAL-CP191-2N2222A-WR Datasheet
530Kb/9P
PNP - High Voltage Transistor Die
R0 8-August 2019
CP191-2N2222A-WS CENTRAL-CP191-2N2222A-WS Datasheet
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P-Channel JFET Die
R1 17-January 2018
CP191-2N2222A-WS CENTRAL-CP191-2N2222A-WS Datasheet
530Kb/9P
PNP - High Voltage Transistor Die
R0 8-August 2019
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P-Channel JFET Die
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PNP - High Voltage Transistor Die
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CP191V-2N2222A-WN CENTRAL-CP191V-2N2222A-WN Datasheet
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P-Channel JFET Die
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PNP - High Voltage Transistor Die
R0 8-August 2019
CP191V-2N2222A-WR CENTRAL-CP191V-2N2222A-WR Datasheet
530Kb/9P
PNP - High Voltage Transistor Die
R0 8-August 2019
CP191V-2N2222A-WR CENTRAL-CP191V-2N2222A-WR Datasheet
465Kb/9P
P-Channel JFET Die
R1 17-January 2018
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Microsemi Corporation
JANS2N2222AUB MICROSEMI-JANS2N2222AUB Datasheet
142Kb/6P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25째C, unless otherwise noted)
JANTX2N2222AUB MICROSEMI-JANTX2N2222AUB Datasheet
58Kb/2P
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
120101
JANTX2N2222AUB MICROSEMI-JANTX2N2222AUB Datasheet
142Kb/6P
TECHNICAL DATA SHEET NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
MSR2N2222AUB MICROSEMI-MSR2N2222AUB Datasheet
781Kb/7P
Rad Hard NPN Silicon Switching Transistor Screened per MIL-PRF-19500 & ESCC 22900
Rev. 1
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ON Semiconductor
P2N2222AG ONSEMI-P2N2222AG Datasheet
165Kb/6P
Amplifier Transistors(NPN Silicon)
April, 2007 -- Rev. 5
P2N2222ARL1G ONSEMI-P2N2222ARL1G Datasheet
165Kb/6P
Amplifier Transistors(NPN Silicon)
April, 2007 -- Rev. 5

12


12



2N2222A Datasheet, PDF [Reseller]

ResellerNo. de pieza Fabricante Electrónico
Datasheet
Descripción ElectrónicosBuy Now
logo
Element14
2N2222A

part
MULTICOMP PRO

TRANSISTOR, NPN, 40V, 800MA, TO-18; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V;...
2N2222A

part
NTE ELECTRONICS

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18; Transistor Polarity:N...

2N2222A Reseller

ResellerNo. de piezaFabricante ElectrónicoDescripción ElectrónicosPriceQty.
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Breve descripción de 2N2222A


El 2N2222A es un transistor de unión bipolar NPN (BJT) ampliamente utilizado que se usa comúnmente para amplificación y conmutación en circuitos electrónicos. Es parte de la serie de transistores 2N22XX, que son conocidos por sus aplicaciones de uso general. Aquí hay algunas características clave y especificaciones del transistor 2N2222A:

Polaridad: NPN (negativo negativo negativo).

El 2N2222A se construye con una capa de tipo N en el medio, intercalada entre capas de tipo P en el exterior.
Corriente máxima del colector (IC): típicamente alrededor de 800 mA.

Esta es la corriente máxima que puede fluir del colector al emisor cuando el transistor está en el estado en.
Voltaje máximo de colección de colección (VCBO): típicamente alrededor de 75V.

Este es el voltaje máximo que se puede aplicar entre el colector y los terminales base mientras mantiene el terminal del emisor abierto.
Máximo voltaje del emisor de colector (VCEO): típicamente alrededor de 30 V.

Este es el voltaje máximo que se puede aplicar entre el colector y los terminales de emisor mientras la base está abierta.
Gane (HFE o Beta): típicamente alrededor de 100 a 300.

La ganancia, denotada como hfe o beta, representa la capacidad de amplificación del transistor. Muestra cuánto se amplifica la corriente del colector en comparación con la corriente base.
Paquete: El 2N2222A está comúnmente disponible en paquetes TO 18 o TO-92, que son pequeños y ampliamente utilizados en varios circuitos electrónicos.

Aplicaciones: El transistor 2N2222A se utiliza en una amplia gama de circuitos electrónicos, incluidos amplificadores, aplicaciones de conmutación, procesamiento de señales, osciladores y más.

equivalente para 2N2222A


El 2N2222A es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN ampliamente utilizado diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de baja potencia de uso general. Presenta una corriente de colector máxima de 800 mA, un voltaje colector-emisor de 40 V y funciona de manera eficiente a altas velocidades con una frecuencia de transición de alrededor de 250 MHz.
COMPONENTES 101

Varios transistores pueden servir como reemplazo del 2N2222A, ofreciendo características y funcionalidades eléctricas similares:

PN2222A:

Un equivalente directo al 2N2222A, que se encuentra comúnmente en un paquete de plástico TO-92.
Comparte especificaciones eléctricas similares, incluidas las clasificaciones máximas de voltaje y corriente del colector.
Tenga en cuenta que la configuración de los pines puede diferir; verifique el pinout antes de la sustitución.
INFORMACIÓN DE COMPONENTES
2N3904:

Transistor NPN de uso general con una corriente de colector máxima de 200 mA y un voltaje colector-emisor de 40 V.
Adecuado para aplicaciones de baja potencia donde los requisitos actuales están dentro de sus clasificaciones.
Ofrece una frecuencia de transición más alta, lo que lo hace ideal para conmutación de alta velocidad.
COMPONENTES 101
BC547:

Transistor NPN con una corriente de colector máxima de 100 mA y una tensión colector-emisor de 45 V.
Comúnmente utilizado en diseños europeos para conmutación y amplificación de baja corriente.
Asegúrese de que la clasificación de corriente más baja se alinee con las necesidades de su aplicación.
COMPONENTES 101
2N2219:

Transistor NPN con una corriente de colector máxima de 800 mA y una tensión colector-emisor de 50 V.
Encapsulado en un paquete de lata de metal TO-39, que ofrece una mejor disipación de energía.
Adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento térmico robusto.
INFORMACIÓN DE COMPONENTES
MPS2222A:

Transistor NPN similar al 2N2222A, disponible en un encapsulado TO-92.
Presenta características eléctricas comparables, incluidas clasificaciones de corriente y voltaje.
Verifique la configuración de pines, ya que puede diferir del 2N2222A.
EL COMPONENTE
Al seleccionar un reemplazo, considere los siguientes factores:

Especificaciones eléctricas: asegúrese de que el transistor sustituto cumpla o supere los requisitos de voltaje, corriente y potencia de su aplicación.
Tipo de paquete: Confirme que el paquete físico y la configuración de pines sean compatibles con el diseño de su circuito.
Respuesta de frecuencia: Para aplicaciones de alta velocidad, verifique que la frecuencia de transición del transistor de reemplazo sea adecuada.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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