IXBH20N160 Datasheet(PDF) - IXYS Corporation

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IXBH20N160 Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

IXBH20N160 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBH20N160 Detalles de producto

High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
N-Channel, Enhancement Mode

Features
• International standard package JEDEC TO-247 AD
• High Voltage BIMOSFETTM
   - replaces high voltage Darlingtons and series connected MOSFETs
   - lower effective RDS(on)
• Monolithic construction
   - high blocking voltage capability
   - very fast turn-off characteristics
• MOS Gate turn-on
   - drive simplicity
• Reverse conducting capability

Applications
• Flyback converters
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• CRT deflection
• Lamp ballasts

Advantages
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density

Número de pieza similar - IXBH20N160

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	IXBH20N300	180Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXYS Corporation	IXBH20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Descripción similar - IXBH20N160

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	IXBH9N140G	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH15N140	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBN75N170A	91Kb / 2P	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH42N170A	119Kb / 2P	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Sobre a IXYS Corporation

IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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