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BSH205G2 Datasheet (PDF) - Nexperia B.V. All rights reserved
BSH205G2 Datasheet PDF - Nexperia B.V. All rights reserved
No. de pieza BSH205G2
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Descripción Electrónicos 20 V, P-channel Trench MOSFET

BSH205G2 Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos 20 V, P-channel Trench MOSFET

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BSH205G2 Detalles de producto

General description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Features and benefits
• Low threshold voltage
• Low on-state resistance
• Trench MOSFET technology
• Enhanced power dissipation capability of 890 mW
• AEC-Q101 qualified

Applications
• Relay driver
• High-speed line driver
• High-side loadswitch
• Switching circuits




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