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K3567 Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
K3567 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No. de pieza K3567
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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Descripción Electrónicos TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)

K3567 Datasheet (PDF)

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K3567 Datasheet (HTML) - Toshiba Semiconductor


K3567 Detalles de producto

Switching Regulator Applications.

2SK3567 -> Marking K3567.

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 1.7 Ω(typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS= 100 μA (max) (VDS= 600 V)

• Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)




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