1N5817WS Datasheet(PDF) - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

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1N5817WS Detalles de producto

Features
● Metal silicon junction, majority carrier conduction
● Guarding for overvoltage protection
● Low power loss, high efficiency
● High current capability
● Low forward voltage drop
● High surge capability
● For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications

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