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SSM3J356R Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
SSM3J356R Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No. de pieza SSM3J356R
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Tamaño del archivo   244.56 Kbytes
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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Descripción Electrónicos MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

SSM3J356R Datasheet (PDF)

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SSM3J356R Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

No. de pieza SSM3J356R
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Descripción Electrónicos MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

SSM3J356R Datasheet (HTML) - Toshiba Semiconductor


SSM3J356R Detalles de producto

Applications
• Power Management Switches

Features
(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)
(2) 4 V gate drive voltage.
(3) Low drain-source on-resistance
: RDS(ON) = 400 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)
RDS(ON) = 300 mΩ (max) (@VGS = -10 V)




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