RF3816 Datasheet(PDF) - RF Micro Devices

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RF3816 Datasheet (PDF) - RF Micro Devices

RF3816 Datasheet PDF - RF Micro Devices


No. de pieza	RF3816

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Fabricante Electrónico	RFMD [RF Micro Devices]

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Descripción Electrónicos

CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 6GHz

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RF3816 Datasheet (HTML) - RF Micro Devices

RF3816 Datasheet HTML 1Page - RF Micro Devices

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RF3816 Detalles de producto

Product Description
The RF3816 is a high-performance InGaP/GaAs general purpose RF and microwave gain block amplifier. This 50Ω amplifier is based on a reliable HBT MMIC design, providing unsurpassed performance for many small-signal applications. Designed with an external bias resistor, the RF3816 provides high output power and high gain over broad frequency range. This low-cost amplifier is packaged in a thermally efficient, industry standard, ceramic Micro-X package providing excellent ThetaJC performance.

Features
• Reliable, Low-Cost HBT Design
• 12.1dB Gain, +17.3dBm P1dB@1.0GHz
• High P1dB of +14.7dBm@6.0GHz
• Single 6V Power Supply Operation
• 50Ω I/O Matched
• Thermally-Efficient Package

Typical Applications
• Cellular Basestation Amplifiers and
   Transceivers
• Gain Stage or Driver Amplifiers for Linear and
   Saturated Amplifiers
• Narrow and Broadband Commercial and
   Military Radio Designs

Número de pieza similar - RF3816

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
RF Micro Devices	RF3800	59Kb / 2P	GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER
	RF3800	1Mb / 12P	GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER
	RF3800PCBA-416	59Kb / 2P	GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER
	RF3800PCBA-416	1Mb / 12P	GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER
	RF3800	1Mb / 12P	GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER

Descripción similar - RF3816

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
RF Micro Devices	NBB-302	216Kb / 8P	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz
	NBB-300	283Kb / 11P	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz
	NBB-400	279Kb / 12P	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz
	NBB-500	283Kb / 12P	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 4GHz
	NLB-310	178Kb / 8P	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 10GHz
	NLB-400	263Kb / 8P	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 6GHz
	NBB-312	310Kb / 8P	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz
	NLB-310	1Mb / 9P	Cascadable Broadband GaAs MMIC Amplifier DC to 10GHz
	NLB-400	998Kb / 9P	Cascadable Broadband GaAs MMIC Amplifier DC to 6GHz
Qorvo, Inc	NBB-300	567Kb / 11P	Cascadable Broadband GaAs MMIC Amplifier DC to 12GHz

Sobre a RF Micro Devices

RF Micro Devices (RFMD) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de componentes y soluciones de radiofrecuencia (RF) para comunicaciones inalámbricas. La compañía fue fundada en 1991 y tuvo sede en Greensboro, Carolina del Norte. RFMD proporcionó una amplia gama de productos que incluyen amplificadores de potencia, transceptores, filtros y otros componentes de RF que se utilizaron en dispositivos móviles, módulos Wi-Fi y Bluetooth, y otros sistemas inalámbricos.

RFMD era conocido por su experiencia en tecnología de RF y su capacidad para proporcionar productos innovadores y de alto rendimiento. La compañía tuvo un fuerte enfoque en la investigación y el desarrollo y participó activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para la industria inalámbrica. Los productos de RFMD se usaron ampliamente en una variedad de aplicaciones y ayudaron a apoyar el crecimiento de la industria inalámbrica.

En 2015, RFMD fue adquirido por SkyWorks Solutions, Inc., un proveedor líder de semiconductores analógicos de alto rendimiento. La adquisición permitió a SkyWorks expandir su cartera de productos y sus ofertas en el mercado de RF y fortalecer aún más su posición en la industria inalámbrica.

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