DSEA16-06AC Datasheet(PDF) - IXYS Corporation

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DSEA16-06AC Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

DSEA16-06AC Datasheet PDF - IXYS Corporation


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HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220TM

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DSEA16-06AC Datasheet (HTML) - IXYS Corporation

DSEA16-06AC Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

DSEA16-06AC Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

DSEA16-06AC Detalles de producto

HiPerDynFRED™ Epitaxial Diode ISOPLUS220™ Electrically Isolated Back Surface

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
    - High power dissipation
    - Isolated mounting surface
    - 2500V electrical isolation
• Low cathode to tab capacitance (<15pF)
• Planar passivated chips
• Very short recovery time
• Extremely low switching losses
• Low IRM-values
• Soft recovery behaviour
• Epoxy meets UL 94V-0

Applications
• Antiparallel diode for high frequency switching devices
• Antisaturation diode
• Snubber diode
• Free wheeling diode in converters and motor control circuits
• Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS)
• Inductive heating
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Ultrasonic cleaners and welders

Advantages
• Avalanche voltage rated for reliable operation
• Soft reverse recovery for low EMI/RFI
• Low IRM reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch

Número de pieza similar - DSEA16-06AC

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	DSEA16-06BC	539Kb / 3P	HiPerDynFRED Epitaxial Diode ISOPLUS220
Thinki Semiconductor Co...	DSEA16-06BC	270Kb / 2P	16.0 Ampere Insulated Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers

Descripción similar - DSEA16-06AC

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	DSEP30-06CR	21Kb / 1P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)
	DSEP15-12CR	21Kb / 1P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
	IXFC60N20	77Kb / 2P	HiPerFET MOSFET ISOPLUS220TM
	DSEA59-06BC	526Kb / 2P	HiPerFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220TM
	DSEE30-12A	102Kb / 2P	HiPerFRED Epitaxial Diode
	DSEE15-12CC	516Kb / 2P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 (15A, 1200V, 35ns)
	DSEE6-06CC	509Kb / 2P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 Electrically Isolated Back Surface
KEC(Korea Electronics)	Z02W100V	438Kb / 2P	ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Semikron International	SKMD202E	574Kb / 3P	Ultrafast Epitaxial Diode
Shenzhen Taychipst Elec...	1N5221B	4Mb / 2P	EPITAXIAL ZENER DIODE

Sobre a IXYS Corporation

IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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