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STB12N60DM2AG Datasheet (PDF) - STMicroelectronics
STB12N60DM2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No. de pieza STB12N60DM2AG
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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descripción Electrónicos Automotive-grade N-channel 600 V, 380 m typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D²PAK package

STB12N60DM2AG Datasheet (PDF)

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STB12N60DM2AG Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


STB12N60DM2AG Detalles de producto

Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery
diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined
with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency
converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Applications
• Switching applications




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Sobre a STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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