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TPN11006PL Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
TPN11006PL Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No. de pieza TPN11006PL
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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Descripción Electrónicos MOSFETs Silicon N-channel MOS

TPN11006PL Datasheet (PDF)

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TPN11006PL Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

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Descripción Electrónicos MOSFETs Silicon N-channel MOS

TPN11006PL Datasheet (HTML) - Toshiba Semiconductor


TPN11006PL Detalles de producto

Applications
• High-Efficiency DC-DC Converters
• Switching Voltage Regulators
• Motor Drivers

Features
(1) High-speed switching
(2) Small gate charge: QSW = 5.8 nC (typ.)
(3) Small output charge: Qoss = 14.4 nC (typ.)
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)
(6) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)




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