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TPN4R712MD Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
TPN4R712MD Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No. de pieza TPN4R712MD
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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Descripción Electrónicos MOSFETs Silicon P-Channel MOS

TPN4R712MD Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos MOSFETs Silicon P-Channel MOS

TPN4R712MD Datasheet (HTML) - Toshiba Semiconductor


TPN4R712MD Detalles de producto

Applications
• Lithium-Ion Secondary Batteries
• Power Management Switches

Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)
(2) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -20 V)
(3) Enhancement mode: Vth = -0.5 to -1.2 V (VDS = -10 V, ID = -1.0 mA)




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