RFLW3N Datasheet(PDF) - Vishay Siliconix

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RFLW3N Datasheet (PDF) - Vishay Siliconix

RFLW3N Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No. de pieza	RFLW3N

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de inicio	http://www.vishay.com

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Descripción Electrónicos

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030" x 0.030"

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de inicio	http://www.vishay.com

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Descripción Electrónicos	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030" x 0.030"

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RFLW3N Detalles de producto

FEATURES
• High frequency
• Wire bond assembly
• Small size: 0.030" x 0.030" x 0.020"
• Low DCR, high Q
• Low parasitic capacitance, high SRF
• Equivalent circuit model enclosed
• S parameter files available for download
• Sample kit available
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS
• RF choking for DC biasing
• RF tuning circuits
• Lumped element filters

Número de pieza similar - RFLW3N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	RFLW3N	307Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor 17-Sep-13
	RFLW3N1200ALNT0	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW3N1200ALNT1	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW3N1200ALNTS	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW3N1200ALNWS	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13

Descripción similar - RFLW3N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Fairchild Semiconductor	HUFA75637P3	202Kb / 10P	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
Intersil Corporation	HUF75531SK8	183Kb / 12P	6A, 80V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET April 2000
	RFF60P06	88Kb / 8P	25A?? 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power MOSFET September 1998
	RFG60P05E	94Kb / 7P	60A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET July 1999
	RFP150N	127Kb / 10P	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
Fairchild Semiconductor	IRFP150N	148Kb / 10P	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Anaren Microwave	R1K131350R0G5F3	167Kb / 2P	Wire Bondable
Vishay Siliconix	RFLW3N	307Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor 17-Sep-13
	RFLW5N	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW5N	274Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 29-Jan-2020

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix es una subsidiaria de Vishay Intertechnology, un fabricante global de componentes electrónicos pasivos.
Vishay Siliconix se especializa en el diseño, la fabricación y la comercialización de MOSFET de potencia, IGBTS y otros semiconductores de poder.
La compañía fue fundada en 1962 y tiene su sede en Santa Clara, California.
Vishay Siliconix proporciona soluciones de energía para una variedad de aplicaciones, incluidos sistemas de energía renovable, equipos industriales, informática y telecomunicaciones, y electrónica automotriz.
Los productos de la compañía están diseñados para alta eficiencia, bajo consumo de energía y alta confiabilidad, y se fabrican en instalaciones de última generación utilizando procesos de fabricación avanzados.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Vishay Siliconix se compromete a proporcionar a sus clientes las mejores soluciones de gestión de energía para satisfacer sus necesidades.

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