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NE3210S01-T1 Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp
NE3210S01-T1 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No. de pieza NE3210S01-T1
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Fabricante Electrónico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de inicio  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descripción Electrónicos HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE3210S01-T1 Datasheet (PDF)

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No. de pieza NE3210S01-T1
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NE3210S01-T1 Datasheet (HTML) - Renesas Technology Corp


NE3210S01-T1 Detalles de producto

DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm




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Sobre a Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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