2SB1386 Datasheet(PDF) - Nanjing International Group Co

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2SB1386 Detalles de producto

FEATURES
Low VCE(sat)=-0.35V(Typ.)
(IC/IB=-4A/-0.1A).
Excellent DC current gain characteristics.
Complementary: 2SD2098.
APPLICATIONS
Low frequency transistor.

Número de pieza similar - 2SB1386

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Rohm	2SB1386	107Kb / 5P	Low Frequency Transistor(-20V,-5A)
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Unisonic Technologies	2SB1386	200Kb / 5P	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
Rohm	2SB1386	139Kb / 5P	Low frequency transistor (−20V, −5A)
Guangdong Kexin Industr...	2SB1386	51Kb / 1P	Low Frequency Transistor

Descripción similar - 2SB1386

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
AUK corp	SUR532H	235Kb / 3P	Epitaxial planar PNP silicon transistor
	SUR546J	229Kb / 3P	Epitaxial planar PNP silicon transistor
	SUR550J	229Kb / 3P	Epitaxial planar PNP silicon transistor
Continental Device Indi...	CMBT857	115Kb / 3P	PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Hi-Sincerity Mocroelect...	HSB649T	43Kb / 4P	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GTM CORPORATION	GI5706	948Kb / 3P	PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Galaxy Semi-Conductor H...	KTA2015W	171Kb / 4P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Galaxy Semi-Conductor H...	MMSTA92	131Kb / 2P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Guangdong Kexin Industr...	2SA1772	44Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	A92	207Kb / 4P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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