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SIE806DF Datasheet (PDF) - Vishay Siliconix
SIE806DF Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No. de pieza SIE806DF
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Fabricante Electrónico  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Descripción Electrónicos N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SIE806DF Datasheet (PDF)

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SIE806DF Datasheet (HTML) - Vishay Siliconix


SIE806DF Detalles de producto

DESCRIPTION

The attached spice model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the −55 to 125°C temperature ranges under the pulsed 0-V to 10-V gate drive. The saturated output impedance is best fit at the gate bias near the threshold voltage.



CHARACTERISTICS

• N-Channel Vertical DMOS

• Macro Model (Subcircuit Model)

• Level 3 MOS

• Apply for both Linear and Switching Application

• Accurate over the −55 to 125°C Temperature Range

• Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery Characteristics




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Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix es una subsidiaria de Vishay Intertechnology, un fabricante global de componentes electrónicos pasivos.
Vishay Siliconix se especializa en el diseño, la fabricación y la comercialización de MOSFET de potencia, IGBTS y otros semiconductores de poder.
La compañía fue fundada en 1962 y tiene su sede en Santa Clara, California.
Vishay Siliconix proporciona soluciones de energía para una variedad de aplicaciones, incluidos sistemas de energía renovable, equipos industriales, informática y telecomunicaciones, y electrónica automotriz.
Los productos de la compañía están diseñados para alta eficiencia, bajo consumo de energía y alta confiabilidad, y se fabrican en instalaciones de última generación utilizando procesos de fabricación avanzados.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Vishay Siliconix se compromete a proporcionar a sus clientes las mejores soluciones de gestión de energía para satisfacer sus necesidades.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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