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PMPB100ENE Datasheet (PDF) - Nexperia B.V. All rights reserved
PMPB100ENE Datasheet PDF - Nexperia B.V. All rights reserved
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PMPB100ENE Datasheet (PDF)

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PMPB100ENE Detalles de producto

1. General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power
DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench
MOSFET technology.
2. Features and benefits
• Extended temperature range Tj = 175 °C
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
• Trench MOSFET technology
3. Applications
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits




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