MXP1125 Datasheet(PDF) - Microsemi Corporation

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MXP1125 Datasheet (PDF) - Microsemi Corporation

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Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps

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MXP1125 Detalles de producto

DESCRIPTION
Large area diode chip for medium current photovoltaic bypass applications, or for higher current hybrid applications. The device is rated for 1A for applications where the device will be exposed to substantial radiation flux (space). For other applications, it may be operated at higher currents. A version with attached leads is available.

KEY FEATURES
◾ Oxide passivated structure for very low leakage currents
◾ Epitaxial structure minimizes forward voltage drop
◾ Anode and cathode contacts on same side
◾ Forward voltage decreases with radiation exposure
◾ Qualified for space applications
◾ Thin construction for fit with photovoltaic cells

APPLICATIONS/BENEFITS
◾ Increases efficiency of photovoltaic arrays
◾ Protects photovoltaic cells from reverse voltage

Número de pieza similar - MXP1125

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Microsemi Corporation	MXP1123	49Kb / 1P	High Speed Photo Detectors
	MXP1123HS-C	49Kb / 1P	High Speed Photo Detectors
	MXP1126-C	36Kb / 1P	Photo Transistor Chip

Descripción similar - MXP1125

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Solid States Devices, I...	SDA188A	148Kb / 2P	50 AMPS 50 - 1000 VOLTS RECTIFIER ASSEMBLY
	SDR1ASM	161Kb / 2P	1.0 AMPS 50 - 1000 VOLTS 50 - 70 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
	SDR1D	146Kb / 2P	1.0 AMPS 200 - 1200 VOLTS 50 - 80 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
Microsemi Corporation	MXP1005	175Kb / 5P	Photovoltaic By-Pass Diode 120 Volts, 2.25 Amps
	MXP1144	176Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps
	MXP1144P	78Kb / 4P	PHOTOVOLTAIC BY-PASS DIODE 50 VOLTS, 1.0 Amps
	MXP2001	198Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps
Unisonic Technologies	1N80	163Kb / 6P	1.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
First Silicon Co., Ltd	FTK1N60	222Kb / 7P	1.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
First Silicon Co., Ltd	FTK1N60P	321Kb / 7P	1.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

Sobre a Microsemi Corporation

Microsemi Corporation era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de soluciones de semiconductores y sistemas.
La compañía fue fundada en 1960 y tenía su sede en Aliso Viejo, California.
Microsemi proporcionó una amplia gama de productos que incluyen circuitos integrados analógicos y de señal mixta, matrices de compuertas programables de campo (FPGA), productos de gestión y control de energía, y otras soluciones de semiconductores.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como defensa y seguridad, aeroespacial y aviación, industrial y comunicaciones.
Microsemi era conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2018, Microsemi fue adquirido por Microchip Technology, un proveedor líder de productos microcontroladores, señal mixtos, analógicos y de seguridad.
La marca Microsemi ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Microchip.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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