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SCTHS250N120G3AG Datasheet (PDF) - STMicroelectronics
SCTHS250N120G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No. de pieza SCTHS250N120G3AG
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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de inicio  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Descripción Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mΩ typ., 239 A in a STPAK package

SCTHS250N120G3AG Datasheet (PDF)

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SCTHS250N120G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Descripción Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mΩ typ., 239 A in a STPAK package

SCTHS250N120G3AG Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


SCTHS250N120G3AG Detalles de producto

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Source sensing pin for increased efficiency

Application
• Main inverter (electric traction)

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low
capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




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Sobre a STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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