KMB6D0DN30QA Datasheet(PDF) - KEC(Korea Electronics)

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Dual N-Ch Trench MOSFET

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KMB6D0DN30QA Detalles de producto

GENERAL DESCRIPTION
This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and DC-DC Converter Applications.

FEATURES
• VDSS=30V, ID=6A.
• Drain-Source ON Resistance.
RDS(ON)=28m Ω (Max.) @VGS=10V
RDS(ON)=42m Ω (Max.) @VGS=4.5V
• Super High Dense Cell Design
• High Power and Current Handing Capability

Número de pieza similar - KMB6D0DN30QA

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
KEC(Korea Electronics)	KMB6D0DN30QA	62Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET
	KMB6D0DN30QA	62Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET
	KMB6D0DN30QA	381Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET

Descripción similar - KMB6D0DN30QA

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
KEC(Korea Electronics)	KMB7D0DN40QA	460Kb / 4P	Dual N-Ch Trench MOSFET
	KMB4D5DN60QA	57Kb / 4P	Dual N-Ch Trench MOSFET
	KMB6D0DN30QA	62Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET
	KMB7D0DN40QA	86Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET
KODENSHI_AUK CORP.	SUF1002	353Kb / 8P	Dual N-ch Trench MOSFET
KODENSHI_AUK CORP.	SUF3001	344Kb / 8P	Dual N-ch Trench MOSFET
KEC(Korea Electronics)	KMB4D5DN60QA	769Kb / 4P	Dual N-Ch Trench MOSFET
	KMB6D0DN30QA	381Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET
	KMB6D0DN30QB	380Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET
	KMD6D0DN40Q	378Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET

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