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IRFP054VPBF Datasheet (PDF) - International Rectifier
IRFP054VPBF Datasheet PDF - International Rectifier
No. de pieza IRFP054VPBF
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Tamaño del archivo   176.31 Kbytes
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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descripción Electrónicos HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 9.0m廓 , ID = 93A )

IRFP054VPBF Datasheet (PDF)

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IRFP054VPBF Datasheet PDF - International Rectifier

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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descripción Electrónicos HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 9.0m廓 , ID = 93A )

IRFP054VPBF Datasheet (HTML) - International Rectifier


IRFP054VPBF Detalles de producto

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Optimized for SMPS Applications
● Lead-Free




Número de pieza similar - IRFP054VPBF

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
logo
International Rectifier		 IRFP054V IRF-IRFP054V Datasheet
216Kb / 8P		 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=9.0mohm, Id=93A??
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216Kb / 8P		 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=9.0mohm, Id=93A??
IRF1407SPBF IRF-IRF1407SPBF Datasheet
258Kb / 12P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A )
IRFR4104PBF IRF-IRFR4104PBF Datasheet
273Kb / 12P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5m廓 , ID = 42A )
IRF3710SPBF IRF-IRF3710SPBF Datasheet
279Kb / 11P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
IRFR5305PBF IRF-IRFR5305PBF Datasheet
248Kb / 11P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.065廓 , ID = -31A )
IRFZ44VZPBF IRF-IRFZ44VZPBF Datasheet
355Kb / 13P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12m廓 , ID = 57A )
IRFZ44ZPBF IRF-IRFZ44ZPBF Datasheet
291Kb / 13P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9m廓 , ID = 51A )
IRL1404PBF IRF-IRL1404PBF Datasheet
133Kb / 9P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 4.0m廓 , ID = 160A )
IRFL4310PBF IRF-IRFL4310PBF Datasheet
662Kb / 9P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.20廓 , ID = 1.6A )
IRF1405ZS-7PPBF IRF-IRF1405ZS-7PPBF Datasheet
696Kb / 12P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A )
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Sobre a International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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