NX8346TS Datasheet(PDF) - NEC

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NX8346TS Datasheet (PDF) - NEC

NX8346TS Datasheet PDF - NEC


No. de pieza	NX8346TS

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Fabricante Electrónico	NEC [NEC]

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Descripción Electrónicos

1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

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Fabricante Electrónico	NEC [NEC]

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Descripción Electrónicos	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

NX8346TS Datasheet (HTML) - NEC

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NX8346TS Detalles de producto

DESCRIPTION
The NX8346TS is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode TOSA (transmitter optical subassembly) with InGaAs monitor PIN-PD in a receptacle type package designed for SFP+/XFP transceiver.

FEATURES
• Internal optical isolator
• Optical output power Pf = −3 dBm
• Low threshold current lth = 8 mA TYP. @ TC = 25°C
• Wide operating temperature range TC = −5 to +95°C
• InGaAs monitor PIN-PD

APPLICATIONS
• 10 G BASE-LW/LR
• 10 G Fibre Channel

Número de pieza similar - NX8346TS

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Renesas Technology Corp	NX8346TS	172Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
California Eastern Labs	NX8346TS	195Kb / 8P	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
California Eastern Labs	NX8346TS-AZ	195Kb / 8P	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
Renesas Technology Corp	NX8346TS	164Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

Descripción similar - NX8346TS

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
California Eastern Labs	NX8341	351Kb / 13P	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
NEC	NX8346TB	102Kb / 9P	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
Renesas Technology Corp	NX8346TS	172Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
Renesas Technology Corp	NX8369TB	213Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
California Eastern Labs	NX8369TB	214Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
	NX8346TS	195Kb / 8P	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
	NX8346TB	205Kb / 9P	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
	NX8341	372Kb / 15P	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
Renesas Technology Corp	NX8349YK	253Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
Renesas Technology Corp	NX8349TB	204Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

Sobre a NEC

NEC Corporation es una empresa japonesa de tecnología de la información y electrónica multinacional. La compañía fue fundada en 1899 y tiene su sede en Tokio, Japón. NEC proporciona una amplia gama de productos y servicios, incluidas tecnología de la información, telecomunicaciones y electrónica. Su cartera incluye hardware de computadora, software y servicios, soluciones de red, soluciones de pantalla y servidores empresariales y soluciones de almacenamiento.

NEC es conocido por su experiencia en el campo de la tecnología de la información y su capacidad para ofrecer productos y servicios innovadores y de alta calidad. La compañía tiene operaciones e instalaciones en varios países de todo el mundo y tiene una fuerte presencia en la región de Asia y el Pacífico. NEC trabaja en estrecha colaboración con sus clientes para proporcionar soluciones personalizadas que cumplan con sus requisitos y necesidades específicas.

Además de su negocio principal, NEC también está activo en los campos de la investigación y el desarrollo, y participa en diversos proyectos relacionados con tecnologías avanzadas como la inteligencia artificial, las redes 5G e Internet de las cosas (IoT). NEC se compromete a ofrecer soluciones sostenibles que apoyen el desarrollo de la sociedad y mejoren la calidad de vida de las personas de todo el mundo.

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