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GT8G131 Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
GT8G131 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No. de pieza GT8G131
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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Descripción Electrónicos N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS)

GT8G131 Datasheet (PDF)

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GT8G131 Datasheet (HTML) - Toshiba Semiconductor


GT8G131 Detalles de producto

Strobe Flash Applications



•  Supplied in Compact and Thin Package Requires Only a Small Mounting Area

•  4th generation (trench gate structure) IGBT

•  Enhancement-mode

•  4-V gate drive voltage: VGE= 4.0 V (min) (@IC= 150 A)

•  Peak collector current: IC= 150 A (max)




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