2SC2630 Datasheet(PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor

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2SC2630 Datasheet (PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor

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2SC2630 Detalles de producto

DESCRIPTION
2SC2630 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in VHF band mobile radio applications.

APPLICATION
40 to 60 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications.

Número de pieza similar - 2SC2630

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	2SC2632	34Kb / 2P	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification)
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	2SC3105	99Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3379	150Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

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