RF2145PCBA Datasheet(PDF) - RF Micro Devices

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RF2145PCBA Datasheet (PDF) - RF Micro Devices

RF2145PCBA Datasheet PDF - RF Micro Devices


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Fabricante Electrónico	RFMD [RF Micro Devices]

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DCS1800/1900 POWER AMPLIFIER

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RF2145PCBA Detalles de producto

Product Description
The RF2145 is a high power, high efficiency amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in a 4-cell DCS1800 or DCS1900 handset. The device is packaged in a 16-lead plastic package with wide ground leads, and is self-contained with the exception of the output matching network and power supply feed line. Only a single positive voltage is required to operate with full power and efficiency, and on-board power control and power-down functions are provided.

Features
• Single 4.8V Power Supply
• +32dBm Output Power
• 28dB Small Signal Gain
• 55% Power Added Efficiency
• Power Control
• 1700MHz to 1900MHz Frequency Range

Typical Applications
• 4.8V DCS1800/1900 Handsets
• 3V DECT Handsets and Base Stations
• Commercial and Consumer Systems
• Portable Battery Powered Equipment

Número de pieza similar - RF2145PCBA

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
RF Micro Devices	RF2140	176Kb / 12P	3V DCS POWER AMPLIFIER
	RF2140PCBA	176Kb / 12P	3V DCS POWER AMPLIFIER
	RF2146	129Kb / 8P	PCS LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF2146PCBA	129Kb / 8P	PCS LINEAR POWER AMPLIFIER

Descripción similar - RF2145PCBA

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
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Motorola, Inc	MRFIC1818	216Kb / 8P	1700-1900 MHz MMIC DCS1800/PCS1900 INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
Renesas Technology Corp	E2081606_PF08127B	183Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
Renesas Technology Corp	PF08134B	123Kb / 14P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
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Renesas Technology Corp	PF08127	140Kb / 18P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone Oct. 2002
Renesas Technology Corp	PF08134	138Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone May 13, 2004

Sobre a RF Micro Devices

RF Micro Devices (RFMD) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de componentes y soluciones de radiofrecuencia (RF) para comunicaciones inalámbricas. La compañía fue fundada en 1991 y tuvo sede en Greensboro, Carolina del Norte. RFMD proporcionó una amplia gama de productos que incluyen amplificadores de potencia, transceptores, filtros y otros componentes de RF que se utilizaron en dispositivos móviles, módulos Wi-Fi y Bluetooth, y otros sistemas inalámbricos.

RFMD era conocido por su experiencia en tecnología de RF y su capacidad para proporcionar productos innovadores y de alto rendimiento. La compañía tuvo un fuerte enfoque en la investigación y el desarrollo y participó activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para la industria inalámbrica. Los productos de RFMD se usaron ampliamente en una variedad de aplicaciones y ayudaron a apoyar el crecimiento de la industria inalámbrica.

En 2015, RFMD fue adquirido por SkyWorks Solutions, Inc., un proveedor líder de semiconductores analógicos de alto rendimiento. La adquisición permitió a SkyWorks expandir su cartera de productos y sus ofertas en el mercado de RF y fortalecer aún más su posición en la industria inalámbrica.

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