GWM100-01X1 Datasheet(PDF) - IXYS Corporation

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GWM100-01X1 Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

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Fabricante Electrónico	IXYS [IXYS Corporation]

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Descripción Electrónicos

Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

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Descripción Electrónicos	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

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GWM100-01X1 Detalles de producto

Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

Features
• MOSFETs in trench technology:
   - low RDSon
   - optimized intrinsic reverse diode
• package:
   - high level of integration
   - high current capability 300 A max.
   - aux. terminals for MOSFET control
   - terminals for soldering or welding
      connections
   - isolated DCB ceramic base plate
      with optimized heat transfer
• Space and weight savings

Applications
AC drives
• in automobiles
   - electric power steering
   - starter generator
• in industrial vehicles
   - propulsion drives
   - fork lift drives
• in battery supplied equipment

Package options
• 2 lead frames available
- straight leads (SL)
- SMD lead version (SMD)

Número de pieza similar - GWM100-01X1

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	GWM100-01X1-SL	649Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
IXYS Corporation	GWM100-01X1-SMD	649Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

Descripción similar - GWM100-01X1

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	GWM70-01P2	68Kb / 2P	Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM120-0075P3	80Kb / 3P	Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GMM3X120-0075X2	195Kb / 4P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GMM3X180-004X2	299Kb / 7P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM120-0075X1	326Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM180-004X2	322Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM100-01X1-SL	649Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	MTC120WX55GD	207Kb / 4P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB-isolated high-current package
	MTC120WX75GD	207Kb / 4P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB-isolated high-current package
	MTI200WX75GD	338Kb / 7P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

Sobre a IXYS Corporation

IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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