1N4151 Datasheet(PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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1N4151 Detalles de producto

ULTRA HIGH SPEED SILICON PLANAR EPITAXIAL DIODES

• C ... 4pF @ VR = 0, f = 1.0 MHz
• trr ... 2.0 ns @ IF = 10 mA, VR = -6.0 V, RL = 100 Ω

Número de pieza similar - 1N4151

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Rectron Semiconductor	1N4151	11Kb / 1P	SIGNAL DIODE
Semtech Corporation	1N4151	88Kb / 1P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Shanghai Lunsure Electr...	1N4151	170Kb / 3P	SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

Descripción similar - 1N4151

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	KDS201	108Kb / 1P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)
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TRANSYS Electronics Lim...	BAV70	50Kb / 2P	SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-SPEED DIODES
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