2N2013 Datasheet(PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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Descripción Electrónicos

SCR, V(DRM) = 300 V TO 399.9 V

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Descripción Electrónicos	SCR, V(DRM) = 300 V TO 399.9 V

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2N2013 Detalles de producto

Description: SCR, V(DRM)= 300 V to 399.9 V

Número de pieza similar - 2N2013

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
New Jersey Semi-Conduct...	2N2015	166Kb / 2P	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A
List of Unclassifed Man...	2N2015	2Mb / 6P	GERMANIUM PNP TRANSISTORS
List of Unclassifed Man...	2N2016	2Mb / 6P	GERMANIUM PNP TRANSISTORS
Central Semiconductor C...	2N2017	55Kb / 1P	SMALL SIGNAL TRANSISTORS
New Jersey Semi-Conduct...	2N2017	81Kb / 1P	Small Signal Transistors

Descripción similar - 2N2013

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
New Jersey Semi-Conduct...	150C15B	112Kb / 1P	SCR, (DRM) = 100 V TO 199.9 V
	2N1604	112Kb / 1P	SCR, V (DRM) = 400 V TO 499.9 V
	2N1772	90Kb / 1P	SCR, V (DRM) = 100V TO 199.9 V
	2N1774	111Kb / 1P	SCR, V (DRM) = 200V TO 299.9 V
	2N1871A	105Kb / 1P	SCR, V (DRM) = 50 V TO 99.9 V
	2N3005	88Kb / 1P	SCR, V(DRM) < 50 V
	2N2329	93Kb / 1P	SCR, V(DRM) = 400 V TO 499.9 V
	2N2326	94Kb / 1P	SCR, V(DRM) = 200 V TO 299.9 V
	2N2324A	103Kb / 1P	SCR, V(DRM) = 100 V TO 199.9 V
	2N2324	85Kb / 1P	SCR, V(DRM) = 100 V TO 199.9 V

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