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2SC3357-T1 Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp
2SC3357-T1 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No. de pieza 2SC3357-T1
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Fabricante Electrónico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de inicio  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descripción Electrónicos NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD

2SC3357-T1 Datasheet (PDF)

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2SC3357-T1 Datasheet (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC3357-T1 Detalles de producto

FEATURES
• Low noise and high gain
    NF = 1.1 dB TYP., Ga = 7.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
    NF = 1.8 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• High power gain : MAG = 10 dB TYP. @ IC = 40 mA, f = 1 GHz
• Large Ptot : Ptot = 1.2 W (Mounted on 16 cm2 × 0.7 mm (t) ceramic substrate)
• Small package : 3-pin power minimold package




Número de pieza similar - 2SC3357-T1

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
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California Eastern Labs		 2SC3357-T1-A CEL-2SC3357-T1-A Datasheet
216Kb / 6P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
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202Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD
2SC4228 RENESAS-2SC4228_15 Datasheet
202Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN SUPER MINIMOLD
2SC4536 RENESAS-2SC4536_15 Datasheet
181Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
2SC4957 RENESAS-2SC4957_15 Datasheet
189Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN MINIMOLD
2SC5011 RENESAS-2SC5011_15 Datasheet
190Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD
2SC5012 RENESAS-2SC5012_15 Datasheet
190Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD
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Sobre a Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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