RJS6005TDPPEJ Datasheet(PDF)

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RJS6005TDPPEJ Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp


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SiC Schottky Barrier Diode

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RJS6005TDPPEJ Detalles de producto

Features
• New semiconductor material: Silicon Carbide Diode
• No reverse recovery / No forward recovery

Número de pieza similar - RJS6005TDPPEJ

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Renesas Technology Corp	RJS6005TDPP-EJ	170Kb / 4P	600V - 15A - Diode SiC Schottky Barrier Diode Jan 23, 2014
Renesas Technology Corp	RJS6005TDPP-EJ	68Kb / 4P	600V - 15A - Diode SiC Schottky Barrier Diode

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	SCS206AGC	363Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
	SCS205KGHR	478Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
	SCS208AGHR	481Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
	SCS215AGHR	541Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
	SCS220AJ	493Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
	SVS212AGHR	478Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
Toshiba Semiconductor	TRS12N65D	163Kb / 5P	SiC Schottky Barrier Diode

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Sobre a Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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