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GP1600FSS12 Datasheet (PDF) - Dynex Semiconductor
GP1600FSS12 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor
No. de pieza GP1600FSS12
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Fabricante Electrónico  DYNEX [Dynex Semiconductor]
Página de inicio  http://www.dynexsemi.com
Logo DYNEX - Dynex Semiconductor
Descripción Electrónicos Powerline N-Channel Single Switch IGBT Module Advance Information

GP1600FSS12 Datasheet (PDF)

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GP1600FSS12 Datasheet (HTML) - Dynex Semiconductor


GP1600FSS12 Detalles de producto

The GP1600FSS12 is a single switch 1200V, robust n channel enhancement mode insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. Designed for low power loss, the module is suitable for a variety of high voltage applications in motor drives and power conversion. The high impedance gate simplifies gate drive considerations enabling operation directly from low power control circuitry.

FEATURES
■ n - Channel
■ Enhancement Mode
■ High Input Impedance
■ Optimised For High Power High Frequency Operation
■ Isolated Base
■ Full 1200V Capability
■ 1600A Per Module

APPLICATIONS
■ High Power Switching
■ Motor Control
■ Inverters
■ Traction Systems




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Sobre a Dynex Semiconductor

Dynex Semiconductor era una empresa británica especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de alta potencia.
La compañía fue fundada en 1967 y tuvo sede en Lincoln, Inglaterra.
Dynex era conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de alta potencia y su capacidad para ofrecer dispositivos de energía diseñados a medida para diversas aplicaciones, como la conversión de energía, el control del motor y los sistemas de energía renovable.
En 2015, Dynex fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de sistemas de potencia y sensor.
La marca Dynex ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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