IRF253 Datasheet(PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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IRF253 Detalles de producto

FEATURES
• Low Rds(on) ) at high voltage
• Improved Inductive ruggedness
• Excellent high voltage stability
• Fast switching times
• Rugged polysillcon gate cell structure
• Low Input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
• TO-3 package (High voltage)

Número de pieza similar - IRF253

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF253	215Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
IXYS Corporation	IRF253	49Kb / 1P	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
New Jersey Semi-Conduct...	IRF253	137Kb / 3P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Inchange Semiconductor ...	IRF253	48Kb / 2P	Nanosecond Switching Speed

Descripción similar - IRF253

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF130	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Samsung semiconductor	IRF140	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fuji Electric	2SK3524	98Kb / 4P	N-CHANNE SILLCON POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor	FCB20N60F	341Kb / 6P	600V N-Channe MOSFET 600V, 20A, 190m廓
Kersemi Electronic Co.,...	KSM5N50	1Mb / 6P	500V N-CHANNE MOSFET
ZP Semiconductor	CJP02N80	422Kb / 2P	N -Channe l Power MOSFET
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Shanghai Leiditech Elec...	LM4185	1Mb / 5P	P-Channe lEnhancement Mode Power MOSFET
Pan Jit International I...	PJA3416AE-AU	2Mb / 6P	20V N-Channe lEnhancement Mode MOSFET – ESD Protected May 5,2021 PJA3416AE-AU-REV.00
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