UPA812T Datasheet(PDF) - NEC

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UPA812T Datasheet (PDF) - NEC

UPA812T Datasheet PDF - NEC


No. de pieza	UPA812T

Descarga	UPA812T Descarga

Tamaño del archivo	50.06 Kbytes

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Fabricante Electrónico	NEC [NEC]

Página de inicio	http://www.nec.com/

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Descripción Electrónicos

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4227 SMALL MINI MOLD

UPA812T Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4227 SMALL MINI MOLD

UPA812T Datasheet (HTML) - NEC

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UPA812T Detalles de producto

The µPA812T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES
• Low Noise
    NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• High Gain
    |S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• A Small Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4227)

Número de pieza similar - UPA812T

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
California Eastern Labs	UPA812T	195Kb / 4P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
California Eastern Labs	UPA812T	485Kb / 3P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	UPA812T	249Kb / 8P	SILICON TRANSISTOR 1995
California Eastern Labs	UPA812T-T1-A	195Kb / 4P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
California Eastern Labs	UPA812T-T1-A	485Kb / 3P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

Descripción similar - UPA812T

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NEC	2SC2351	30Kb / 4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
	2SC4955	44Kb / 6P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
	UPA800T	51Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA802T	53Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA806T	49Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA809T	66Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA811T	49Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD
	UPA813T	53Kb / 8P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD
	UPA828TF	92Kb / 20P	HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
	UPC805T	57Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

Sobre a NEC

NEC Corporation es una empresa japonesa de tecnología de la información y electrónica multinacional. La compañía fue fundada en 1899 y tiene su sede en Tokio, Japón. NEC proporciona una amplia gama de productos y servicios, incluidas tecnología de la información, telecomunicaciones y electrónica. Su cartera incluye hardware de computadora, software y servicios, soluciones de red, soluciones de pantalla y servidores empresariales y soluciones de almacenamiento.

NEC es conocido por su experiencia en el campo de la tecnología de la información y su capacidad para ofrecer productos y servicios innovadores y de alta calidad. La compañía tiene operaciones e instalaciones en varios países de todo el mundo y tiene una fuerte presencia en la región de Asia y el Pacífico. NEC trabaja en estrecha colaboración con sus clientes para proporcionar soluciones personalizadas que cumplan con sus requisitos y necesidades específicas.

Además de su negocio principal, NEC también está activo en los campos de la investigación y el desarrollo, y participa en diversos proyectos relacionados con tecnologías avanzadas como la inteligencia artificial, las redes 5G e Internet de las cosas (IoT). NEC se compromete a ofrecer soluciones sostenibles que apoyen el desarrollo de la sociedad y mejoren la calidad de vida de las personas de todo el mundo.

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