IRFP150N Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRFP150N Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRFP150N Datasheet PDF - International Rectifier


No. de pieza	IRFP150N

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

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Descripción Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A)

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Descripción Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A)

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IRFP150N Detalles de producto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Número de pieza similar - IRFP150N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Fairchild Semiconductor	IRFP150N	148Kb / 10P	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP150N	243Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP150N	725Kb / 3P	100V,60A Heatsink N-Channel Type Power MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP150N	258Kb / 7P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRFP150NPBF	1Mb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET

Descripción similar - IRFP150N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF1310NS	156Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRFR2407	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A??
	IRFR4104	182Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRFR2905ZPBF	278Kb / 12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 14.5m廓 , ID = 42A )
	IRFR4104PBF	273Kb / 12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5m廓 , ID = 42A )

Sobre a International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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