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IRG4PC40W Datasheet (PDF) - International Rectifier
IRG4PC40W Datasheet PDF - International Rectifier
No. de pieza IRG4PC40W
Descarga  IRG4PC40W Descarga
Tamaño del archivo   116.25 Kbytes
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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descripción Electrónicos INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)

IRG4PC40W Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descripción Electrónicos INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)

IRG4PC40W Datasheet (HTML) - International Rectifier


IRG4PC40W Detalles de producto

Benefits
• Lower switching losses allow more cost-effective
   operation than power MOSFETs up to 150 kHz
   ("hard switched" mode)
• Of particular benefit to single-ended converters and
   boost PFC topologies 150W and higher
• Low conduction losses and minimal minority-carrier
   recombination make these an excellent option for
   resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)
  
Features
• Designed expressly for Switch-Mode Power
   Supply and PFC (power factor correction)
   applications
• Industry-benchmark switching losses improve
   efficiency of all power supply topologies
• 50% reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Latest-generation IGBT design and construction offers
   tighter parameters distribution, exceptional reliability




Número de pieza similar - IRG4PC40W

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
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International Rectifier		 IRG4PC40WPBF IRF-IRG4PC40WPBF Datasheet
619Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40WPBF IRF-IRG4PC40WPBF Datasheet
620Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40WPBF IRF-IRG4PC40WPBF_15 Datasheet
620Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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IRG4BC30K IRF-IRG4BC30K Datasheet
137Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30U IRF-IRG4BC30U Datasheet
167Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4BC40U IRF-IRG4BC40U Datasheet
169Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
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129Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC30F IRF-IRG4PC30F Datasheet
145Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4PC40U IRF-IRG4PC40U Datasheet
148Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC50F IRF-IRG4PC50F Datasheet
146Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRG4PSC71U IRF-IRG4PSC71U Datasheet
151Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)
IRG4BC30KS IRF-IRG4BC30KS_04 Datasheet
263Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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Sobre a International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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