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IRG4PC50W Datasheet (PDF) - International Rectifier
IRG4PC50W Datasheet PDF - International Rectifier
No. de pieza IRG4PC50W
Descarga  IRG4PC50W Descarga
Tamaño del archivo   157.32 Kbytes
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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descripción Electrónicos INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)

IRG4PC50W Datasheet (PDF)

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No. de pieza IRG4PC50W
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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descripción Electrónicos INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)

IRG4PC50W Datasheet (HTML) - International Rectifier


IRG4PC50W Detalles de producto

Features
• Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC
   (power factor correction) applications
• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Latest-generation IGBT design and construction offers
   tighter parameters distribution, exceptional reliability

Benefits
• Lower switching losses allow more cost-effective operation
   than power MOSFETs up to 150 kHz ("hard switched" mode)
• Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher
• Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these
   an excellent option for resonant mode switching as well (up to >300 kHz)




Número de pieza similar - IRG4PC50W

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
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Inchange Semiconductor ...		 IRG4PC50W ISC-IRG4PC50W Datasheet
367Kb / 3P		 IGBT
2023-9-12
logo
International Rectifier		 IRG4PC50WPBF IRF-IRG4PC50WPBF Datasheet
242Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50WPBF IRF-IRG4PC50WPBF Datasheet
251Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50WPBF IRF-IRG4PC50WPBF_15 Datasheet
251Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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IRG4BC40F IRF-IRG4BC40F Datasheet
167Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
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123Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC40F IRF-IRG4PC40F Datasheet
145Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC50U IRF-IRG4PC50U Datasheet
147Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRGBC40F IRF-IRGBC40F Datasheet
248Kb / 6P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRGPC40F IRF-IRGPC40F Datasheet
250Kb / 6P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4BC30W IRF-IRG4BC30W_04 Datasheet
582Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
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Sobre a International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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