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TPC8108 Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
TPC8108 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No. de pieza TPC8108
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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Descripción Electrónicos Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)

TPC8108 Datasheet (PDF)

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TPC8108 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

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TPC8108 Detalles de producto

Lithium Ion Battery Applications

Notebook PC Applications

Portable Equipment Applications



•  Small footprint due to small and thin package

•  Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 9.5 mΩ(typ.)

•  High forward transfer admittance: |Yfs| = 24 S (typ.)

•  Low leakage current: IDSS = −10 µA (max) (VDS= −30 V)

•  Enhancement-mode: Vth= −0.8 to −2.0 V (VDS= −10 V, ID= −1mA)




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