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STB6N62K3 Datasheet (PDF) - STMicroelectronics
STB6N62K3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No. de pieza STB6N62K3
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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descripción Electrónicos Very low intrinsic capacitance

STB6N62K3 Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos Very low intrinsic capacitance

STB6N62K3 Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


STB6N62K3 Detalles de producto

Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low onresistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected

Applications
■ Switching applications




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Sobre a STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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