PXAC213308FV pdf, PXAC213308FV Descripción Electrónicos, PXAC213308FV Datasheet, PXAC213308FV view ::: ALLDATASHEET :::

No. de pieza	PXAC213308FV

Descripción Electrónicos	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2200 MHz

Tamaño del archivo	518.73 Kbytes

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Fabricante Electrónico	CREE [Cree, Inc]

Página de inicio	http://www.cree.com/

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Número de pieza similar - PXAC213308FV

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Infineon Technologies A...	PXAC213308FV	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2200 MHz Rev. 02, 2016-05-04

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
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	PTFB213208FV	221Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz Rev. 02, 2012-07-03
	PXAC213308FV	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2200 MHz Rev. 02, 2016-05-04
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Cree, Inc	PXAD214218FV	524Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz
	PTFB210801FA	636Kb / 11P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz
	PTFB213208FV	659Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 - 2170 MHz
	PTFC210202FC	700Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 - 2200 MHz
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WOLFSPEED, INC.	PXAE213708NB	707Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 48 V, 2110 – 2200 MHz Rev. 04, 2022-12-20