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No. de pieza	SCS10120

Descripción Electrónicos	1200V/10A SiC Schottky Barrier Diode

Tamaño del archivo	395.28 Kbytes

Html View	1 2 3 4

Fabricante Electrónico	GWSEMI [Goodwork Semiconductor Co., Ltd .]

Página de inicio	http://www.goodwork.com.tw/

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Número de pieza similar - SCS10120

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Goodwork Semiconductor ...	SCS10120B	349Kb / 4P	1200V/10A SiC Schottky Barrier Diode
Goodwork Semiconductor ...	SCS10120P	351Kb / 4P	1200V/10A SiC Schottky Barrier Diode

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Renesas Technology Corp	RJS6004TDPP-EJ	80Kb / 4P	600V - 10A - Diode SiC Schottky Barrier Diode
Chip Integration Techno...	SIC10C60	816Kb / 4P	10A SiC Schottky Diode
Chip Integration Techno...	SICF10C60	3Mb / 4P	10A SiC Schottky Diode
UnitedSiC.	UJ2D1210T	517Kb / 4P	10A - 1200V SiC Schottky Diode Rev. B, October 2016
	UJ2D1220K	520Kb / 4P	20A - 1200V SiC Schottky Diode Rev. B, October 2016
	UJ3D1210K2	310Kb / 6P	10A -1200V SiC Schottky Diode Rev. B, April 2020
	UJ3D1210KS	326Kb / 6P	10A -1200V SiC Schottky Diode Rev. C, February 2020
	UJ3D1210KSD	332Kb / 6P	10A -1200V SiC Schottky Diode Rev. C, February 2020
	UJ3D1210TS	311Kb / 6P	10A -1200V SiC Schottky Diode Rev. C, February 2020
Renesas Technology Corp	RJS6004TDPP-EJ	169Kb / 4P	600V - 10A - Diode SiC Schottky Barrier Diode Jan 23, 2014