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No. de pieza	STT3458N

Descripción Electrónicos	3.4A , 60V , RDS(ON) 92 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET

Tamaño del archivo	425.67 Kbytes

Html View	1 2 3 4

Fabricante Electrónico	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

Página de inicio	http://www.secosgmbh.com

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Número de pieza similar - STT3458N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
SeCoS Halbleitertechnol...	STT3458N	189Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
VBsemi Electronics Co.,...	STT3458N	403Kb / 7P	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	STT3458N	582Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
SeCoS Halbleitertechnol...	SSE90N06-30P	169Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
	STT3458N	189Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
	SSE90N06-10P	617Kb / 4P	90A , 60V , RDS(ON) 9.9 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	STT3962NE	104Kb / 2P	2.3A , 60V , RDS(ON) 0.153 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	STT6602	2Mb / 7P	N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET
	SMG2340N	141Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
	SMG2398N	143Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
	STT3402N	467Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
	SDT3A5N06-C	338Kb / 4P	3.5A, 60V, RDS(on) 100 m(ohm) N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
	SDT6N06-C	617Kb / 4P	6A, 60V, RDS(on) 44 m(ohm) N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET