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No. de pieza	PF0027

Descripción Electrónicos	MOS FET Power Ampllfier Module for E-TACS Handy Phone

Tamaño del archivo	287.69 Kbytes

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Fabricante Electrónico	HITACHI [Hitachi Semiconductor]

Página de inicio	http://www.renesas.com/eng

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Número de pieza similar - PF0027

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Elektron Components Ltd...	PF0001	106Kb / 1P	EN60 320-1 Standard Sheet C14 Class I Cold Condition (Fused)
Bulgin Limited. All rig...	PF0001	1Mb / 25P	IEC Connectors
Elektron Components Ltd...	PF0001/28	106Kb / 1P	EN60 320-1 Standard Sheet C14 Class I Cold Condition (Fused)
Bulgin Limited. All rig...	PF0001/28	1Mb / 25P	IEC Connectors
Elektron Components Ltd...	PF0001/PC	106Kb / 1P	EN60 320-1 Standard Sheet C14 Class I Cold Condition (Fused)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Hitachi Semiconductor	PF00105A	62Kb / 11P	MOS FET Power Amplifier Module for AMPS Handy Phone
	PF01410A	25Kb / 4P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone
	PF01411A	25Kb / 4P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone
	PF01411B	26Kb / 4P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone
	PF01412A	25Kb / 4P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone
	PF0414A	32Kb / 5P	MOS FET Power Amplifier Module for DCS 1800 Handy Phone
	PF0414B	26Kb / 4P	MOS FET Power Amplifier Module for DCS 1800 Handy Phone
	PF0415A	32Kb / 5P	MOS FET Power Amplifier Module for PCS 1900 Handy Phone
	PF08103A	42Kb / 8P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone
Renesas Technology Corp	PF08109B	249Kb / 25P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone