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LKVIPER12A Datasheet(PDF) 3 Page - Linkage Goston Electronics Co., LTD

No. de pieza LKVIPER12A
Descripción Electrónicos  AC / DC PWM power switch
PDF  10 Pages
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Fabricante Electrónico  LINKAGE [Linkage Goston Electronics Co., LTD]
Página de inicio  http://www.linkage.cn/
Logo LINKAGE - Linkage Goston Electronics Co., LTD

LKVIPER12A Datasheet(HTML) 3 Page - Linkage Goston Electronics Co., LTD

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background image
- 3 -
极限参数
极限参数(TA= 25℃)
符号
说明
范围
单位
VDS(max)
芯片 DRAIN 脚最高耐压
-0.3～730
V
VDS(ST)
芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压
-0.3～400
V
VDD
芯片电源电压
-0.3～38
V
Ivdd
嵌位电流
10
mA
IFB
最大反馈电流
3
mA
VESD
ESD 电压
>4000
V
TJ
结温
-40～150
℃
TSTG
存储温度
-55～150
℃
热阻参数
符号
说明
单位
RthJA
热阻(1)
45
℃/W
注（1）：芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板，铜箔厚度 35um，铜箔连接到所有的 GND 脚。
电气工作参数
(除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃，VDD=18V)
符号
说明
条件
范围
单位
最小
典型
最大
BVDS
漏源击穿电压
VFB=2V; ID=1mA
730V
-
-
V
IDSS
DRAIN 端关断态漏电流
VFB=2V; VDS=500V
-
-
0.1
mA
RDS(on)
源漏端导通电阻
ID=0.2A
-
19
-
Ohm
VDDON
VDD 开启电压
13
14.5
16
V
VDDOFF
VDD 关闭电压
7
8
9
V
VDDHYS
VDD 迟滞阈值电压
-
6.5
-
V
VDDOVP
VDD 过压保护阈值
-
39
-
V
IDD1
VDD 工作电流
IFB=2.0mA
-
0.4
-
mA
IDD2
VDD 工作电流
IFB=0.5mA;ID=50mA
-
1.0
-
mA
IDDCH
芯片充电电流
VDS=100V; VDD=5V
-
-220
-
uA
FOSC
芯片振荡频率
-
60
-
KHz
GID
IFB/IDRAIN 增益
-
320
-
ILIMIT
峰值电流阈值
VFB=0V
-
400
-
mA
IFBSD
FB 关断电流
-
0.9
-
mA
RFB
FB 输入电阻
ID=0mA
-
1.23
-
Kohm
tLEB
前置消隐时间
-
300
-
ns
tON(min)
最小导通时间
-
700
-
ns
tOVT
过温保护温度
-
150
-
℃
tHYS
过温迟滞阈值温度
-
30
-
℃
注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系
LK VIPer12A AC/DC PWM 功率开关v1.6
LK VIPer12A
sale@linkage.cn
业务电话：400-033-6518
www.linkage.cn



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