2016/3/15 

p.4 

EMF02P02H

-V - Gate-Source Voltage( V )

0.5

0

10

GS

1.0

1.5

V = - 5V

30

40

50

DS

2.5

2.0

3.0

125°C

25°C

Transfer Characteristics

20

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

T   = 125°C

‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

T   = 25°C

‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0.004

0

0

0.002

0.006

2

GS

4

A

0.012

0.008

0.010

0.014

A

T   = 125°C

68

10

I   = ‐ 20A

D

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

I      = ‐ 20 A

T   ‐ Junction Temperature (°C)

‐50

0.4

0.7

1.0

J

‐25

0

25

50

D

V     = ‐ 4.5V

1.3

1.6

1.9

GS

150

100

75

125

On‐Resistance Variation with Temperature

‐V   ,Drain‐Source Voltage( V )

On‐Region Characteristics

20

0.5

0

0

10

1.5

DS

12

‐4.5V

‐10V

40

30

50

‐3.0V

2.5

3

V  =‐2.5V

GS

‐I   ,Drain Current( A ) 

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

0.5

0

1.0

1.5

10

D

20

GS

V   = ‐2.5V

2.0

2.5

3.0

30

40

50

10V

‐4.5V

‐3.0V