SFH482 datasheet(4/7 Pages) SIEMENS

No. de pieza	SFH482

Descripción Electrónicos	GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm

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Fabricante Electrónico	SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]

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Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 480,

SFH 481, SFH 482

Abmessungen der aktive Chipfläche

Dimension of the active chip area

× B

× W

0.4

× 0.4

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel

Distance chip front to lens top

SFH 480

SFH 481

SFH 482

4.0 ... 4.8

2.8 ... 3.7

2.1 ... 2.7

Schaltzeiten, I

e von 10 % auf 90 % und von

90 % auf 10 %, bei

F = 100 mA, RL = 50 Ω

Switching times, I

e from 10 % to 90 % and

from 90 % to10 %,

F = 100 mA, RL = 50 Ω

r, tf

0.6/0.5

µs

Kapazität

Capacitance

R = 0 V, f = 1 MHz

Durchlaßspannung

Forward voltage

F = 100 mA, tp = 20 ms

F = 1 A, tp = 100 µs

1.50

(≤ 1.8)

3.00

(≤ 3.8)

Sperrstrom

Reverse current

R = 5 V

0.01

(≤ 1)µA

Gesamtstrahlungsfluß

Total radiant flux

F = 100 mA, tp = 20 ms

Temperaturkoeffizient von I

e bzw. Φe,

F = 100 mA

Temperature coefficient of I

e or Φe,

F = 100 mA

– 0.5

%/K

Temperaturkoeffizient von

F, IF = 100 mA

Temperature coefficient of

F, IF = 100 mA

– 2

mV/K

Temperaturkoeffizient von

λ, I

F = 100 mA

Temperature coefficient of

λ, I

F = 100 mA

TCλ

+ 0.25

nm/K

Kennwerte (

A = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

SFH482 Datasheet(PDF) 4 Page - Siemens Semiconductor Group

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