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3DD4611HT-R-T-N-C Datasheet(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

No. de pieza 3DD4611HT-R-T-N-C
Descripción Electrónicos  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
PDF  5 Pages
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Fabricante Electrónico  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Página de inicio  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

3DD4611HT-R-T-N-C Datasheet(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
3DD4611HT
版本：
201510B
2/5
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
min
最大值
max
单
位
Unit
结到环境的热阻
Thermal Resistance Junction Ambient TO-92
Rth(j-a)
-
125
/
℃
W
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（VBE=0）
VCES
900
V
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
450
V
发射极
—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
0.5
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
1.0
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
PA
1
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
450
500
-
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IE=0
900
980
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
9
14
-
V
ICBO
VCB=900V, IE=0
-
-
1
μA
ICEO
VCE=450V,IB=0
-
-
1
mA
IEBO
VEB=9V, IC=0
-
-
0.50
μA
VCE =5V, IC=20mA
20
30
40
-
hFE
VCE=5V, IC=0.5A
3
6
-
-
VCE(sat)
IC=0.3A, IB=0.06A
0.30
0.80
V
VBE(sat)
IC=0.3A, IB=0.06A
-
0.90
1.35
V
tf
VCC=24V IC=0.3 A,IB1=-IB2=0.06A
-
-
0.70
μS
fT
VCE=10V, IC=0.02A
5
-
-
MHz



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