2N60 Datasheet, PDF - Datasheet Search Engine

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coincide con, parecido a	82N60(1) 22N60(2) 12N60(15) 2N60(23) L2N60(1) I2N60(7) F2N60(7) B2N60(6) D2N60(6) E2N60(6) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(1) 2N60E(1) 2N60F(1) 2N60G(1) 2N60H(1) 2N60I(1) 2N60K(2) 2N60L(2) 2N60M(1) 2N60N(1) 2N60P(1) 2N60S(1) 2N60T(1) 2N60Z(1)
comienza con	2N60(944) 2N60-(20) 2N602(54) 2N603(118) 2N604(100) 2N605(137) 2N606(10) 2N607(103) 2N608(18) 2N609(26) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(7) 2N60E(3) 2N60F(4) 2N60G(70) 2N60H(1) 2N60K(62) 2N60L(164) 2N60M(6) 2N60N(3) 2N60Z(18)
End	2N60(288) 02N60(35) D2N60(24) 12N60(62) F2N60(22) U2N60(15) B2N60(4) I2N60(6) P2N60(17) S2N60(3) 32N60(4) V2N60(2) T2N60(5) M2N60(4) 42N60(1) R2N60(3) W2N60(3) L2N60(4) 22N60(9) Q2N60(1) 72N60(2) J2N60(2) A2N60(1) Y2N60(2) X2N60(1) E2N60(1) K2N60(1) 82N60(1) *52N60(2)
Incluido	2N60(1102) 2N60A(3) 2N60C(2) 2N60D(2) 2N60G(18) 2N60H(9) 2N60K(7) 2N60L(18) 2N60S(6) 2N60_(6)

Fabricante Electrónico

2N60 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "2N60" - Total : 972 ( 1/49 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Unisonic Technologies	2N60	142Kb/8P	2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
Estek Electronics Co. L...	2N60	573Kb/5P	N2 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	224Kb/6P	2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	245Kb/6P	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	2N60	391Kb/8P	N-Channel Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	157Kb/2P	Fast Switching
Chongqing Pingwei Enter...	2N60	201Kb/2P	2A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET
DIYI Electronic Technol...	2N60	1Mb/9P	600V N-Channel Power MOSFET
Zibo Seno Electronic En...	2N60	450Kb/6P	N-CHANNEL MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	316Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
SUNMATE electronic Co.,...	2N60	2Mb/8P	N-CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	2N60	389Kb/7P	N-CHANNEL MOSFET
VBsemi Electronics Co.,...	2N60	1Mb/9P	Power MOSFET
Jiangsu High diode Semi...	2N60	2Mb/3P	TO-251 Plastic-Encapsulate MOSFET
Guangdong Kexin Industr...	2N60	60Kb/2P	N-Channel MOSFET
Jiangsu Donghai Semicon...	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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Breve descripción de 2N60

El 2N60 es un MOSFET de canal N que está optimizado para aplicaciones de alta potencia de voltaje, que ofrece características como conmutación rápida, carga de puerta baja y baja resistencia en el estado. También está diseñado para soportar condiciones de avalancha resistente. Estas características lo hacen comúnmente utilizado en fuentes de alimentación, controles de motor PWM, convertidores de CC a CC y circuitos de puente.

Aquí hay un resumen de las características del 2N60:

Drene al voltaje de fuente (V_DSS): puede tolerar hasta 600 V, que es el voltaje máximo entre el drenaje y la fuente cuando el MOSFET se apaga.

Voltaje de puerta a fuente (V_GSS): admite un voltaje de puerta a fuente de ± 30V.

Corriente de drenaje (I_D): el 2N60 puede sostener una corriente de drenaje de 2a, lo que indica la corriente máxima que puede fluir a través del terminal de drenaje continuamente.

Disipación de potencia (P_D): tiene una clasificación de disipación de potencia de 23W, dictando cuánta potencia puede manejar antes de exceder la temperatura máxima de unión.

Temperatura de unión (T_J): la temperatura de unión operativa puede alcanzar hasta 150 ° C.

Temperatura de almacenamiento (T_STG): el componente se puede almacenar a temperaturas que van desde -55 a +150 ° C.

Para implementaciones específicas, el dispositivo ofrece una baja resistencia de 3.8Ω a un V_GS de 10V. La carga baja de la puerta (típica a 9.0 nc) y la baja capacitancia de transferencia inversa (CRSS = típico 5.0 pf) facilitan la conmutación rápida y la eficiencia mejorada. Estas especificaciones están orientadas a garantizar que el MOSFET pueda proporcionar el rendimiento requerido en las tareas de gestión de energía con eficiencia y confiabilidad.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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