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End	*M2N7002T(1)
Incluido	2N7002T(3)

Fabricante Electrónico

2N7002T Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "2N7002T" - Total : 61 ( 1/4 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Diodes Incorporated	2N7002T	85Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 2 - 2
Diodes Incorporated	2N7002T	447Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 8 - 2
ON Semiconductor	2N7002T	417Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor January 2015 Rev. 1.1
Diodes Incorporated	2N7002T	89Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 11 - 2 March 2009
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002T	156Kb/2P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002T	333Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	121Kb/3P	Small Signal MOSFET
Weitron Technology	2N7002T	292Kb/4P	N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002T	148Kb/3P	300 mAmps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	337Kb/3P	N-Channel Enhancement MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002T	145Kb/4P	N-Channel Plastic-Encapsulate Transistor
Unisonic Technologies	2N7002T	162Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
WILLAS ELECTRONIC CORP	2N7002T	359Kb/2P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
Nanjing International G...	2N7002T	2Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
VBsemi Electronics Co.,...	2N7002T	1,003Kb/8P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Tiger Electronic Co.,Lt...	2N7002T	1Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
SEC Electronics Inc.	2N7002T	191Kb/3P	N-Channel Plastic- Encapsulate MOSFETS
Jiangsu High diode Semi...	2N7002T	3Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encaps u late MOSFET
Jiangsu Changjiang Elec...	2N7002T	2Mb/5P	MOSFET (N-Channel)
Shanghai Leiditech Elec...	2N7002T	1Mb/3P	Voltage controlled small signal switch

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Breve descripción de 2N7002T

El 2N7002T es un MOSFET de canal N de señal pequeña (transistor de efecto de campo de óxido de metal-semiconductor). Los MOSFET se usan ampliamente en circuitos electrónicos para su capacidad para controlar y amplificar las señales electrónicas. El 2N7002T está diseñado para aplicaciones de baja potencia y se usa comúnmente para fines de conmutación y amplificación.

Aquí hay algunas especificaciones clave del 2N7002T MOSFET:

Tipo de transistor: N-canal MOSFET
Voltaje máximo de fuga de drenaje (VDS): 60V
Voltaje máximo de fuente de puerta (VGS): ± 20V
Corriente de drenaje continuo máximo (ID): 115MA
Disipación máxima de potencia (PD): 360MW
Voltaje umbral (VTH): típicamente alrededor de 1.5V
En resistencia (RDS (ON)): típicamente alrededor de 5Ω en VG = 4.5V

El 2N7002T MOSFET se usa comúnmente para aplicaciones de conmutación de bajo voltaje. Ofrece un voltaje de umbral bajo, lo que significa que puede controlarse fácilmente por señales de bajo voltaje. La resistencia es relativamente baja, lo que permite operaciones de conmutación eficientes.

equivalente para 2N7002T

El 2N7002T es un tipo específico de MOSFET de canal N (transistor de efecto de campo de óxido de metal-semiconductor) comúnmente utilizado para aplicaciones de conmutación de baja potencia. Si bien un reemplazo exacto con el mismo número de pieza puede no estar fácilmente disponible, existen opciones alternativas que pueden considerarse. Aquí hay algunos reemplazos potenciales para el 2N7002T MOSFET:

IRF5305: El IRF5305 es un MOSFET de canal N con una corriente de drenaje máxima de 31A y un voltaje máximo de fuente de drenaje de 55 V. Tiene características eléctricas similares al 2N7002T y puede usarse como reemplazo en muchas aplicaciones de conmutación de baja potencia.

BS170: El BS170 es otro MOSFET de canal N con una corriente de drenaje máxima de 0.5A y un voltaje máximo de fuente de drenaje de 60V. Se usa comúnmente en circuitos de conmutación de baja potencia y se puede usar como reemplazo para el 2N7002T en ciertas aplicaciones.

BSS138: El BSS138 es un MOSFET de canal N con una corriente de drenaje máxima de 0.17a y un voltaje máximo de fuente de drenaje de 50V. A menudo se usa en aplicaciones de conmutación de baja potencia y puede considerarse como un reemplazo para el 2N7002T en circuitos adecuados.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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