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End	No Data
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Fabricante Electrónico

2SC3356 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "2SC3356" - Total : 85 ( 1/5 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NEC	2SC3356	102Kb/8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)
Renesas Technology Corp	2SC3356	200Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
Renesas Technology Corp	2SC3356	189Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC3356	251Kb/3P	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
Weitron Technology	2SC3356	430Kb/3P	High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon
Unisonic Technologies	2SC3356	197Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	1Mb/4P	NPN Transistors Rev:2022A2
Unisonic Technologies	2SC3356	211Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
Jinan Jing Heng Electro...	2SC3356	634Kb/4P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Yea Shin Technology Co....	2SC3356	860Kb/4P	Low Noise and High Gain
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	54Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Guilin Strong Micro-Ele...	2SC3356	282Kb/3P	SOT-23
California Eastern Labs	2SC3356	1Mb/9P	NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
Unisonic Technologies	2SC3356	105Kb/3P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SC3356	128Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Galaxy Semi-Conductor H...	2SC3356	166Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC3356	614Kb/6P	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
Shenzhen Luguang Electr...	2SC3356	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SC3356	485Kb/4P	NPN Transistors
SHIKUES Electronics	2SC3356	1Mb/5P	NPN Silicon RF Transistor

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Breve descripción de 2SC3356

El 2SC3356 es una designación parcial típicamente utilizada para un transistor de unión bipolar NPN (BJT). Es un transistor de señal pequeño comúnmente utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación de baja potencia.

Aquí hay algunas especificaciones generales para el transistor 2SC3356:

Voltaje máximo de colección de colección (VCBO): típicamente alrededor de 25 voltios
Máximo voltaje del emisor colector (VCEO): típicamente alrededor de 20 voltios
Voltaje de base de emisor máximo (VEBO): típicamente alrededor de 4 voltios
Corriente máxima del colector (IC): típicamente alrededor de 50 mA
Disipación máxima de potencia (PD): típicamente alrededor de 150 MW
Tipo de paquete: típicamente SOT-23 (un paquete de esquema de transistor de montaje de superficie pequeño)
El transistor 2SC3356 se usa comúnmente en aplicaciones como amplificadores de audio, circuitos de conmutación y circuitos de uso general de baja potencia.

equivalente para 2SC3356

Un reemplazo adecuado para el transistor 2SC3356 es el 2SC3355. El 2SC3355 es un transistor NPN complementario que comparte características eléctricas similares y tipo de paquete con el 2SC3356.

Aquí hay algunas similitudes clave entre los transistores 2SC3356 y 2SC3355:

Tipo de transistor: los transistores 2SC3356 y 2SC3355 son transistores de unión bipolar NPN (BJTS).

Clasificaciones de voltaje y corriente: las clasificaciones de voltaje y corriente de los transistores 2SC3356 y 2SC3355 son comparables. Ambos transistores tienen una corriente de colección máxima (IC) (IC) y calificaciones máximas de voltaje del emisor de colector (VCEO).

Tipo de paquete: los transistores 2SC3356 y 2SC3355 generalmente están disponibles en el mismo tipo de paquete, como TO-92 o SOT-23. Estos paquetes son comunes y adecuados para aplicaciones de propósito general.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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