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Fabricante Electrónico

2SC4793 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "2SC4793" - Total : 34 ( 1/2 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Toshiba Semiconductor	2SC4793	147Kb/2P	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)
Unisonic Technologies	2SC4793	46Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Savantic, Inc.	2SC4793	246Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2SC4793	44Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2SC4793	166Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Unisonic Technologies	2SC4793	52Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor	2SC4793	131Kb/4P	Power Amplifier Applications
Savantic, Inc.	2SC4793	247Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC4793	219Kb/4P	Power Amplifier Applications
Micro Commercial Compon...	2SC4793	598Kb/3P	NPN Silicon Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SC4793	122Kb/2P	Silicon NPN Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SC4793	249Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor
Thinki Semiconductor Co...	2SC4793	504Kb/3P	20 Watt Silicon Epitaxial Planar Process NPN Power Transistor
Toshiba Semiconductor	2SC4793	1Mb/73P	Bipolar Small-Signal Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2SC4793	44Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Unisonic Technologies	2SC4793	52Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Shenzhen Luguang Electr...	2SC4793	1Mb/2P	Silicon NPN Power Transistor
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC4793-O-MF-N-B	219Kb/4P	Power Amplifier Applications
Unisonic Technologies	2SC4793-TF3-T	46Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Unisonic Technologies	2SC4793-X-TF3-T	52Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR

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Breve descripción de 2SC4793

El 2SC4793 es un transistor de unión bipolar (BJT) de alto voltaje y alta velocidad que se usa típicamente en amplificador de potencia y aplicaciones de alta frecuencia. Estas son las características y especificaciones clave del 2SC4793:

Tipo de transistor: El 2SC4793 es un transistor de unión bipolar NPN, lo que significa que consta de tres capas semiconductores: p-doped (base), n-dopado (emisor) y p-dopado (colector).

Capacidad de alto voltaje: el 2SC4793 está diseñado para manejar las clasificaciones de voltaje del emisor de colector relativamente alto (VCEO), típicamente en el rango de varios cientos de voltios, lo que lo hace adecuado para su uso en aplicaciones que requieren una amplificación de alto voltaje.

Cambio de alta velocidad: este transistor es capaz de conmutación de alta velocidad, lo que lo hace adecuado para su uso en aplicaciones de alta frecuencia, como amplificadores y osciladores de RF (radiofrecuencia).

Disipación de alta potencia: el 2SC4793 es capaz de disipar niveles de potencia relativamente altos debido a sus clasificaciones de alto voltaje y corriente, lo que permite que se use en circuitos de amplificador de potencia.

Voltaje de baja saturación: típicamente exhibe un bajo voltaje de saturación (VCE (SAT)), lo que es deseable para minimizar las pérdidas de energía y maximizar la eficiencia en las aplicaciones de conmutación.

Alta ganancia de corriente: el 2SC4793 generalmente tiene una alta ganancia de corriente de CC (HFE), lo que garantiza una amplificación eficiente de las señales de entrada en los circuitos de amplificadores.

Paquete TO20: está comúnmente disponible en un paquete TO-220, que ofrece una buena conductividad térmica y robustez mecánica, lo que lo hace adecuado para su uso en varios circuitos electrónicos y el montaje del disipador de calor.

Aplicación: El 2SC4793 se usa comúnmente en circuitos de amplificador de audio, circuitos de RF de alta frecuencia, alimentaciones de conmutación y otras aplicaciones que requieren alta voltaje, alta velocidad y capacidades de alta potencia.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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