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End	No Data
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Fabricante Electrónico

BAS116 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "BAS116" - Total : 263 ( 1/14 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NXP Semiconductors	BAS116	52Kb/8P	Low-leakage diode 1999 May 26
Diodes Incorporated	BAS116	281Kb/4P	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Rev 11
Diodes Incorporated	BAS116	44Kb/2P	Introducing Very Low Leakage SOT-23 Diodes: DS30233 Rev. 9 - 2
Infineon Technologies A...	BAS116	444Kb/4P	Silicon Low Leakage Diode Mar-10-2004
Diodes Incorporated	BAS116	344Kb/3P	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE DS30233 Rev. 7 - 2
Taiwan Semiconductor Co...	BAS116	206Kb/4P	225mW, SMD Switching Diode
Diodes Incorporated	BAS116	116Kb/3P	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Rev. 9 - 2 May 2008
Infineon Technologies A...	BAS116	72Kb/6P	Silicon Low Leakage Diode 2007-04-19
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BAS116	177Kb/2P	LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
Taiwan Semiconductor Co...	BAS116	68Kb/2P	225mW SMD Switching Diode
NXP Semiconductors	BAS116	124Kb/8P	Low-leakage diode 2003 Dec 12
Won-Top Electronics	BAS116	95Kb/4P	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE October, 2018
Shanghai Shunye Electro...	BAS116	673Kb/4P	SW ITCHING DIODE V2.22
Pan Jit International I...	BAS116	142Kb/3P	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES
Weitron Technology	BAS116	406Kb/2P	Surface Mount Switching Diodes
SeCoS Halbleitertechnol...	BAS116	266Kb/3P	Surface Mount Switching Diode
Micro Commercial Compon...	BAS116	153Kb/2P	225mW Switching Diode
Shunxin Technology Co.,...	BAS116	488Kb/3P	SWITCHING DIODE
Continental Device Indi...	BAS116	135Kb/3P	SILICON PLANAR SWITCHING DIODE
TAITRON Components Inco...	BAS116	194Kb/4P	Three Terminals SMD Low Leakage Switching Diode

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Breve descripción de BAS116

El BAS116 es una designación parcial típicamente utilizada para un diodo de conmutación de alta velocidad. Es un diodo de señal pequeño con una velocidad de conmutación rápida y un bajo tiempo de recuperación inversa.

Aquí hay algunas especificaciones generales para el diodo BAS116:

Voltaje inverso máximo (VR): típicamente alrededor de 85 voltios
Corriente promedio promedio máxima (IF (AV)): típicamente alrededor de 100 mA
Corriente máxima de sobretensión de avance (IFSM): típicamente alrededor de 400 mA (para un ancho de pulso especificado y una tasa de repetición)
Caída de voltaje hacia adelante (VF): típicamente alrededor de 1V a una corriente directa de 100 mA
Corriente de fuga inversa (IR): típicamente en el rango de microamperios
Tipo de paquete: típicamente SOT-23 (un pequeño paquete de montaje en superficie)
El diodo BAS116 se usa comúnmente en aplicaciones como conmutación de alta velocidad, rectificación de señal y circuitos de protección.

equivalente para BAS116

BAS116 es un diodo de conmutación de alta velocidad con una calificación de corriente máxima de 225 mA y una clasificación de voltaje máxima de 100V. Si está buscando un reemplazo para este diodo, puede considerar las siguientes alternativas que tienen especificaciones similares:

BAT54S: este es un diodo Schottky de cambio dual con una calificación de corriente máxima de 200 mA y una calificación de voltaje máxima de 30 V. Tiene características eléctricas similares al BAS116 y está disponible en un paquete SOT-23.

1N4148WS: este es un diodo de conmutación de alta velocidad con una calificación de corriente máxima de 200MA y una calificación de voltaje máximo de 75V. Tiene características eléctricas similares al BAS116 y está disponible en un paquete SOD-323.

BAV199: este es un diodo de conmutación de alta velocidad dual con una calificación de corriente máxima de 225 mA y una clasificación de voltaje máximo de 85V. Tiene características eléctricas similares al BAS116 y está disponible en un paquete SOT-23.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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